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產(chǎn)品中心

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超快恢復(fù)二極管
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可控硅
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汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
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汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

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高壓MOSFET(500V-1000V)
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N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
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SiC

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SiC二極管模塊
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模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
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晶閘管混合模塊
壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

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快恢復(fù)整流管
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4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
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6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
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集成電路

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并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
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產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

突破硅基局限，SiC MOSFET解鎖光伏微逆與工業(yè)電源新能效

突破硅基局限，SiC MOSFET解鎖光伏微逆與工業(yè)電源新能效 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚杰科技近日推出了杰冠微自產(chǎn)1200V 120mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品，包括TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三種封裝。在追求極致能效與系統(tǒng)緊湊化的電力電子設(shè)計中，完美平衡了導(dǎo)通損耗與開關(guān)性能，專為替代傳統(tǒng)硅基超結(jié)MOSFET而生。

產(chǎn)品特點憑借SiC材料的物理特性，該器件擁有極低的寄生電容和極快的開關(guān)速度。其體二極管具備極低的反向恢復(fù)電荷（Qrr），能顯著降低開關(guān)損耗，使電源系統(tǒng)輕松實現(xiàn)高頻化設(shè)計，大幅提升功率密度。
支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫工作環(huán)境。相比同等規(guī)格的硅器件，它能大幅減少散熱器體積，甚至在部分低功率密度設(shè)計中實現(xiàn)無風(fēng)扇散熱，降低了系統(tǒng)整體成本。

規(guī)格書

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